Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向

摘要：

用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿<111>方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向.Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有:生长条纹、核心和位错等.晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核.位错的走向垂直于生长界面,符合能量最低原理.采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错.

关键词：Yb∶YAG晶体、生长缺陷、同步辐射形貌相、应力双折射、位错走向

所属期刊栏目：29

分类号：O77(晶体缺陷)

资助基金：中国科学院资助项目69578026;国家科技攻关项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：399-403