10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.016
电光晶体硒酸氢铷过饱和溶液的成核研究
本文对硒酸氢铷(RbHSeO4,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究.通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期,讨论过饱和比、温度对诱导期的影响,并根据经典均匀成核理论计算不同温度下的晶体表面张力、成核自由能和临界成核半径,为探讨RHSe单晶的水溶液生长的较佳条件提供依据.
硒酸氢铷、均匀成核、诱导期、溶液生长法
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O782(晶体生长)
福建省自然科学基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
376-380