10.3969/j.issn.1000-985X.2000.03.013
热丝辅助射频CVD C3N4薄膜
采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积(CVD)方法直接在Si(100)衬底上制备了多晶C3N4薄膜.X射线衍射(XRD)测试表明薄膜同时含有α-C3N4和β-C3N4晶相以及未知结构.傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)表明薄膜内的C-N, C=N和 C≡N 键的吸收峰分别位于1237,1625和2191cm-1.利用扫描电子显微镜(SEM)观测到线度约为2μm、横截面为六边形的β-C3N4晶粒.纳米压痕法测得薄膜的硬度最高可达72.66GPa.
化学气相沉积、氮化碳薄膜、X射线衍射、扫描电镜、硬度
29
O781(晶体生长)
留法学者参加西部建设启动基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
275-279