10.3969/j.issn.1000-985X.2000.03.011
平面SiC薄膜场致发射的机理研究
碳化硅在场致发射(EE)应用中除了具有金刚石的一般优点之外,还具有易于n型或者p型掺杂的特性.本文用APCVD方法研制了一种SiC薄膜.在FEE测试中发现,其开启场强低达0.3 MV/m.根据电子发射过程的理论分析,得到一种电流随电压指数增加的模式可用于理解场致发射的测试结果.根据这个模型,电子从衬底向薄膜的注入和电子在薄膜中的输运是限制发射的主要因素.由此还可以推测,薄膜中相邻的电子传递中心之间的距离约为0.6 nm.
SiC薄膜、多晶、场致发射、I~V特性、拟合
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O484.1(固体物理学)
中国科学院资助项目69776023;高等学校博士学科点专项科研项目98069828
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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