大尺寸单晶金刚石薄膜的外延生长

摘要：

用电子回旋共振等离子体增强的化学汽相沉积法, 在单晶硅衬底上外延生长出了近于100μm2的单晶金刚石薄膜.使用的原料气体是高纯的氢气和甲烷,生长前没有对衬底做划痕和研磨等预处理.生长中是把衬底放在ECR共振区,并施加了射频负偏压.研究证实,在单晶金刚石薄膜的外延中,硅衬底表面形成高质量结晶的β-SiC过渡层是外延生长金刚石单晶的关键条件;而射频负偏压对于β-SiC过渡层的形成是致关重要的条件.

关键词：金刚石薄膜、化学汽相沉积法(CVD)、电子回旋共振等离子体(ECR)、外延生长、β-SiC

所属期刊栏目：29

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目69876003;北京市自然科学基金2982013

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：250-252