10.3969/j.issn.1000-985X.2000.03.005
用MPCVD法制备氮化碳薄膜
用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在硅片和铂基片上生长了氮化碳薄膜.扫描电镜(SEM)观察显示,在硅片上形成了多晶的膜;EDX能谱分析表明膜中的碳氮比在1.0~2.0之间;X射线衍射谱表明在硅片和铂片上生长的氮化碳薄膜是由α-C3N4和β-C3N4晶相组成的;XPS峰形分析表明,薄膜中的C、N主要是以共价单键结合的;红外谱中也出现了β-C3N4的特征谱线.因此有足够的证据表明,晶态的氮化碳薄膜已经合成.
C3N4薄膜、微波等离子体化学气相沉积、表征、X射线衍射
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O484.1(固体物理学)
中国科学院资助项目19674009
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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