10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.005
GdCa4O(BO3)3:Yb晶体沿倍频方向的生长和自倍频性质
本文首次报道了利用倍频方向的籽晶生长GdCa4O(BO3)3:Yb(GdCOB:Yb)晶体,通过控制温场及生长速度可以得到高光学质量的晶体.分析了晶体的生长习性及孪晶的形成.通过与b向生长的晶体相比较,认为以倍频方向生长的晶体加工器件时,可以极大地提高利用率(从50%提高到90%).测量了晶体的室温透过谱和荧光谱.利用976nm的激光二极管及列阵二极管作为泵浦源,测量了晶体沿最佳倍频方向的激光输出及自倍频性质.
GdCOB:Yb晶体、最佳倍频方向、转换效率、引上法晶体生长
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O782.5(晶体生长)
广东省博士启动基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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