Cd:PbWO4晶体的生长及其性质

摘要：

采用提拉法生长了Cd:PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40～50 ℃/cm和17～25 ℃/cm,生长速度2～3 mm/h,转速为25～30 r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷.Cd:PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd:PbWO4的发光效率为21.2 p.e/MeV,而高纯PbWO4为10.5 p.e/MeV,分析纯退火PbWO4为8.2 p.e/MeV,未退火PbWO4为6.7 p.e/MeV.Cd:PbWO4晶体的平均衰减时间约为10 ns.以上结果表明,Cd:PbWO4是一种良好的闪烁晶体.

关键词：掺镉钨酸铅晶体、发射光谱、发光效率、闪烁晶体、引上法晶体生长

所属期刊栏目：28

分类号：O782.5;O734.2(晶体生长)

资助基金：中国科学院资助项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：168-171