黄铜矿型CuInSe2单晶光电材料研究评述

摘要：

Cu-Ⅲ-Ⅵ2族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置,CuInSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族的一个成员,其带隙能为1eV,光吸收系数较大,有希望成为潜在的太阳能材料.本文阐述了CuInSe2晶体的光电性能及在作为太阳能材料方面的应用,对合成CuInSe2单晶的各种生长方法进行了归纳和总结,并指出了研究中存在的问题和今后努力的方向.

关键词：CuInSe2、光电材料、晶体生长、生长方法、化合物半导体

分类号：O782;TN304.26(晶体生长)

资助基金：国土资源部百名跨世纪科技人才培养计划

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：96-102