利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚石膜

摘要：

本文利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上获得了局域异质外延金刚石膜.由Raman背散射强度(在1332cm-1处)旋转角依赖关系表明,金刚石膜与Si(100)的定向关系为dia(100)∥Si(100)和dia[110]∥Si[110].在金刚石膜的成核阶段,位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压,获得的金刚石膜用扫描电镜和Raman谱表征.对实验结果进行了简要的讨论.

关键词：异质外延金刚石膜、热灯丝CVD、发射电子、金刚石成核

所属期刊栏目：27

分类号：O7(晶体学)

资助基金：中国科学院资助项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：137-140