10.3969/j.issn.1006-009X.2007.04.016
半导体一氧化碳敏感材料研究进展
金属氧化物半导体由于具有耐热、耐腐蚀、成本低廉等特点,常用于制作气体传感器的敏感元件.本文简要介绍了SnO2半导体材料、TiO2半导体材料作为一氧化碳敏感材料的最新研究进展.
一氧化碳敏感材料、SnO2、TiO2、半导体材料研究进展
TN304.92(半导体技术)
2008-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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10.3969/j.issn.1006-009X.2007.04.016
一氧化碳敏感材料、SnO2、TiO2、半导体材料研究进展
TN304.92(半导体技术)
2008-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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