10.13726/j.cnki.11-2706/tq.2023.05.078.04
不同浓度S掺杂2H-CuInO2的第一性原理研究
本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法,对1.04%、1.39%、2.08%掺杂浓度下2H-CuInO2的能带结构和电子态密度进行了理论计算研究.结果表明:随着掺杂浓度的提高,S的掺杂使纯净的2H-CuInO2能带结构中价带顶的位置被改变,并使其带隙降低.另外S的杂质能级在2H-CuInO2中属于浅能级杂质,会参与费米能级的形成,说明S的掺杂可以提高2H-CuInO2的导电率.
2H-CuInO2、掺杂、能带结构、电子态密度
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TB34(工程材料学)
国家自然科学基金;西安石油大学研究生创新与实践能力培养项目
2023-06-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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