不同浓度S掺杂2H-CuInO2的第一性原理研究

摘要：

本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法,对1.04％、1.39％、2.08％掺杂浓度下2H-CuInO2的能带结构和电子态密度进行了理论计算研究.结果表明:随着掺杂浓度的提高,S的掺杂使纯净的2H-CuInO2能带结构中价带顶的位置被改变,并使其带隙降低.另外S的杂质能级在2H-CuInO2中属于浅能级杂质,会参与费米能级的形成,说明S的掺杂可以提高2H-CuInO2的导电率.

关键词：2H-CuInO2、掺杂、能带结构、电子态密度

所属期刊栏目：37

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金;西安石油大学研究生创新与实践能力培养项目

在线出版日期：2023-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：78-81