X射线能量对基于宏孔硅的X射线CsI(Tl)闪烁屏的影响
建立了基于宏孔硅的X射线CsI(Tl)闪烁屏模型,模拟分析了X射线能量对X射线CsI(Tl)闪烁屏光输出的影响。制备了周期为10 μm、方孔边长为8 μm的X射线闪烁屏,搭建了X射线成像装置,测量了不同X射线源管电压的X射线成像图,采用Matlab软件分析了X射线闪烁屏的光输出情况。研究结果表明,闪烁屏厚度越大,闪烁屏平均灰度值越大,与模拟结果一致。
X射线光学
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TP391.41;O434.1;R814.42
2022-10-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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