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10.3788/LOP202259.1700004

锑基II类超晶格InAs/InAsSb红外探测器的研究进展

引用
新型材料结构的设计是提高红外探测器性能的有效途径。锑基II类超晶格InAs/InAsSb作为红外光敏材料时结构稳定,且具有低暗电流、高温工作特性以及优越的光电转化效率,是研制高温工作红外探测器的理想材料。综述了基于锑化物II类超晶格InAs/InAsSb的研究进展,介绍了现阶段应用在典型单极势垒结构中的两种红外探测器性能,并对锑化物II类超晶格InAs/InAsSb探测器的发展进行展望。

探测器、锑化物

59

TB381;TN379;TM914.4

2022-10-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共1页

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