10.3969/j.issn.1002-1752.2006.11.012
金属诱导法制备多晶硅薄膜的研究进展
多晶硅薄膜材料已广泛应用于太阳能电池和集成电路制造等领域.本文综述了金属诱导非晶硅薄膜进行低温晶化的研究,讨论了金属诱导法的晶化机理,分析了金属诱导晶化过程中的主要影响因素,对不同的金属诱导法进行比较,展望了金属诱导法的进一步发展.
多晶硅薄膜、金属诱导、低温晶化
TF533.2+1(炼铁)
2007-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
48-50
点击收藏,不怕下次找不到~
10.3969/j.issn.1002-1752.2006.11.012
多晶硅薄膜、金属诱导、低温晶化
TF533.2+1(炼铁)
2007-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
48-50
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn