Al/SiC界面结合机制的研究现状(续)
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10.3969/j.issn.1002-1752.2000.11.018

Al/SiC界面结合机制的研究现状(续)

引用
@@ 2.3 Al/SiC界面反应机理 一般认为在SiC/Al系统中,Al4C3的形核通过两个步骤进行:即SiC溶解于熔融Al中,然后与Al发生如式(1)的反应,基本上是溶解、扩散和化合的过程,Al/SiC界面属于既有溶解又有反应结合的混合型界面.SiC的溶解似乎是一个择优过程,当SiC与Al液接触时,界面能具有各向异性的特点,为了减少系统的界面能,SiC表面高能量位置发生溶解,从而产生台阶,使与基体结合的SiC晶面是低能量、低能数晶面[29],实验结果也表明SiC的溶解是不均匀的[28],但对于Al/SiC界面反应的速控步骤不同研究又存在不同说法,Lin[30]等人研究认为,SiC在Al液中的溶解动力学是Al/SiC界面反应的速控步骤.

界面反应机理、结合机制、溶解动力学、速控步骤、界面能、系统、晶面、各向异性、反应结合、低能量、混合型、高能量、择优、位置、实验、熔融、基体、化合、表面

TB3;TQ3

2007-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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