大功率780nm单管连续输出16W和巴条连续输出180W半导体激光器

摘要：

设计并制备了 780 nm大功率半导体激光器的单管和巴条.采用金属有机化学气相沉积技术制备的外延结构,分别使用GaAsP和GaInP作为量子阱和波导层,限制层是具有高带隙的AlGaInP材料.量子阱与波导层带隙 0.15 eV,波导层与限制层带隙 0.28 eV,抑制了载流子泄露.1.55 μm厚非对称大光学腔波导结构抑制快轴高阶模,同时缓解腔面损伤问题.为进一步提高腔面损伤阈值,利用超高真空解理和钝化技术,在腔面上沉积了非晶ZnSe钝化层.条宽 150 μm、腔长 4mm的单管器件,在电流为 15A时,输出连续功率 16.3 W未出现COD现象,斜率效率达到 1.27 W/A,电光转换效率为 58%,慢轴发散角 9.9°,光谱半高宽为 1.81 nm.填充因子为40%的厘米巴条,在192 A下实现连续输出功率180 W,电光转换效率为50.7%,光谱宽度仅为 2.2 nm.

关键词：半导体激光器、泵浦源、高效率、腔面光学灾变损伤、硒化锌

所属期刊栏目：35

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：17-22