触发区域宽度对砷化镓光导开关输出特性影响

摘要：

基于TCAD数值仿真软件,建立了异面结构砷化镓光导开关(GaAs PCSS)的二维数值计算模型,研究了触发区域宽度对GaAs PCSS输出特性影响.首先分析了PCSS的瞬态导通特性,结果表明,急剧增加的载流子浓度与快速演化的空间电离畴使PCSS工作在超快速导通模式.基于此,研究了触发区域宽度对PCSS输出特性影响,结果表明,宽度变大会促进载流子密度急剧倍增和雪崩电离畴的快速演化,缩短PCSS的延迟时间和导通时间.研究分析了不同触发位置对延迟时间与导通时间影响,结果表明,阴极触发的延迟时间明显低于阳极触发,而导通时间受触发位置的影响不显著.

关键词：砷化镓、光电导半导体开关、异面电极、雪崩电离畴、超快速导通

所属期刊栏目：35

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：脉冲功率激光技术国家重点实验室开放基金项目SKL2021KF05

在线出版日期：2023-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：150-155