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10.11884/HPLPB202133.200341

等离子体结合六甲基二硅胺烷处理提升增透膜抗真空污染性能研究

引用
本文采用溶胶-凝胶法制备了SiO2增透膜,然后对其进行等离子体结合六甲基二硅胺烷(HMDS)表面改性处理.研究了后处理改性对增透膜表面形貌、微观结构、光学性能及激光损伤性能的影响规律,获得了抗真空有机污染的二氧化硅增透膜.结果表明,增透膜在采用等离子体结合HMDS表面改性处理后,膜层收缩、粗糙度下降、极性羟基等有机基团含量减少;两步后处理改善了增透膜膜层结构和光学性能,显著提高了膜层疏水能力和真空条件下的抗污染性能,并且对溶胶-凝胶二氧化硅增透膜的高损伤阈值属性不产生影响.

SiO2增透膜、等离子体处理、六甲基二硅胺烷、抗真空有机污染

33

O484(固体物理学)

2021-08-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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