高能电子成像暗场成像技术特性研究及改进方案
基于EGS5与PARMELA模拟软件组成的高能电子成像系统,对暗场成像的模拟研究发现,通过调节光阑位置实现的暗场成像结果存在失真现象.针对该失真现象提出的改进方案,消除了暗场成像结果的失真.通过对40 MeV电子透射7~224μm的铝样品开展的成像模拟结果表明:40 MeV高能电子暗场成像技术在铝样品厚度小于25μm情况下具有明显的面密度分辨优势,且空间分辨率达到 μm量级,非常适用于高能量密度物质诊断.
高能量密度物理、高能电子成像、暗场成像、空间分辨能力、面密度分辨本领
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O463.1(真空电子学(电子物理学))
国家自然科学基金项目11875303,11435015,11505251 ,Y940010 HJ0;科技部国家重点研发计划2016YFE0104900;中国科学院科研仪器设备研究项目Y740010YZB,Y740020YHZ
2019-12-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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105-111