Arq+(q=0-12)离子掠射到单晶铜表面的能损谱
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.11884/HPLPB201830.170283

Arq+(q=0-12)离子掠射到单晶铜表面的能损谱

引用
采用蒙特卡罗模拟方法,对低速高电荷态 Arq+离子掠射到单晶铜表面时的能损谱与表面结构的依赖关系进行研究.在能损计算中,包含了四种可能的能损机制.对于 Ar原子沿着晶列方向掠射时,发现能损谱为一两峰结构,其中在能损比较大的区间新出现一个明显的小峰结构.通过研究 Arq+以不同条件掠射到表面的能损,对观察到的沟道效应进行论述.能损谱的计算结果与实验结果吻合得比较好.

蒙特卡罗、能损、高电荷态离子、掠射

30

O562(分子物理学、原子物理学)

National Natural Science Foundation of China11405166

2018-05-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

96-103

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

强激光与粒子束

1001-4322

51-1311/O4

30

2018,30(5)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn