系统电磁脉冲一维边界层的数值模拟

摘要：

应用准第一性原理的PIC程序对系统电磁脉冲(SGEMP)一维边界层进行数值模拟,研究无限大介质板发射单一能量为2 keV、发射率为3.3×1020 m-2·s-1的光电子,发射角分布为余弦角分布,且平板上留下等量正电荷时的SGEMP效应,得出稳态后电子所能到达的最大距离约在5.8～7.5 cm之间振荡;发射表面z=0处的电荷密度在(6.0～9.0)×10-6 C/m3之间振荡;表面电场值在50～55 kV/m之间振荡;边界层达到准稳态的时间约为14.0 ns.将稳态模拟结果和理论估算结果进行对比,模拟结果较理论结果更加准确、形象地反映出SGEMP一维边界层的形成过程及稳态结构.

关键词：光电子、系统电磁脉冲、一维边界层、全电磁粒子模拟方法

所属期刊栏目：30

分类号：TN753.4(基本电子电路)

资助基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金项目2014B0403067

在线出版日期：2018-02-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：39-44