毫米波频段下MOSFET漏极电流噪声的统一模型

摘要：

纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)精确的高频噪声模型是毫米波集成电路低功耗设计的重要基础,而现有的高频漏极噪声模型不仅没有融合器件的衬底效应和栅电阻效应,也没有充分考虑器件的频率和偏置依赖性.针对上述问题,基于纳米MOSFET器件的物理特性,并结合漂移扩散方程和有效栅极过载,建立统一表征强反区到弱反区的频率和偏置依赖性的漏极噪声模型,使之便于移植到先进设计系统(ADS)仿真设计.通过所建模型的仿真结果与实验测试结果进行比较,验证所建模型的准确性.同时比较所建模型对130 nm和40 nm MOSFET两种不同工艺器件的实用性,验证其对表征40 nm MOSFET的毫米波噪声特性的优越性.

关键词：MOSFET、漏极电流噪声、毫米波、弱反区、噪声模型

所属期刊栏目：29

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目69901003;四川省教育厅资助科研项目

在线出版日期：2017-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：80-84