强电磁脉冲上升时间对RS触发器损伤阈值仿真分析

摘要：

对RS触发器中金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的烧毁作用进行研究,通过仿真分析在不同入射端口、不同上升时间的条件下RS触发器的损伤阈值,结合其内部温度分布图完成失效机理分析,进而得出对于上升时间长的强电磁脉冲,需要更高的峰值场强、更长的时间才能将RS触发器烧毁.

关键词：上升时间、RS触发器、电磁脉冲、损伤阈值、失效机理

所属期刊栏目：29

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项2012ZX03003002-004

在线出版日期：2017-07-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：55-60