强电场中的脉冲束流强度测量方法
针对强电场中电场渗透的问题,采用特殊的法拉第筒法测量脉冲束流强度:在法拉第筒入口处用栅网屏蔽强电场,并用在收集板上加正压的方式抑制二次电子。采用解析计算和数值模拟方式对栅网的形状进行了选择,在同样的栅网丝宽和透过率的前提下,通过正六边形栅网的渗透电场最弱,因此选择正六边形栅网。将设计的法拉第筒用于一台真空弧离子源的束流强度测量,获得了该离子源的束流强度波形,其峰值流强约为550 mA;利用测量结果计算了混合离子束在 Cu 收集板上的二次电子发射系数,约为2.0。
强电场、束流强度、法拉第筒、栅网、二次电子
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TL506(加速器)
国家自然科学基金项目11575162
2016-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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