半导体器件多物理场计算中的热边界条件

摘要：

基于半导体器件的物理模型，联立并求解由电磁场、半导体物理及热力学方程构成的多物理场方程组，实现半导体器件及电路的电磁效应计算。为了更加准确地仿真半导体器件的温度变化，深入研究了多物理场计算中的热边界条件。以肖特基二极管 HSMS-282c 为例，采用多物理场算法仿真并对比了器件在相同激励(幅值为2 V 的阶跃脉冲)、不同边界条件下的温度变化情况。实际测量了器件在正向偏置下的表面温度，并于多物理场计算结果进行对比。结果表明，采用热对流边界可以准确仿真半导体器件的热效应。

关键词：半导体、电路、多物理场、热边界条件、仿真

所属期刊栏目：28

分类号：TN701(基本电子电路)

资助基金：河南省教育厅高等学校重点科研项目15A510026;河南理工大学科学研究基金项目B2014-028

在线出版日期：2016-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：113202-1-113202-5