高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理

摘要：

在 TCAD 半导体仿真环境中，建立了0.25μm 栅长的 AlGaAs/InGaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型，基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化，研究了1 GHz 的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明，从栅极注入约40.1 dBm 的微波时， HEMT 内部峰值温度随着时间的变化振荡上升，最终使得器件失效，栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤；从漏极注入微波时，注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程，注入功率存在一个临界值，高于该值，器件有可能在第一个周期内损伤，损伤位置均在漏极附近。在1 GHz 的微波作用下，漏极注入比栅极注入更难损伤。

关键词：高电子迁移率晶体管、低噪声放大器、高功率微波、不同端口

所属期刊栏目：28

分类号：TN4;TN7

在线出版日期：2016-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：103002-1-103002-5