纳米多晶硅薄膜电阻压力和加速度多功能传感器
基于纳米多晶硅薄膜电阻的多功能传感器由压力传感器和加速度传感器构成。纳米多晶硅薄膜电阻构成的两个惠斯通电桥结构分别设计在方形硅膜表面和悬臂梁根部。采用 MEMS 技术和 CMOS 工艺在〈100〉晶向单晶硅片上实现压力／加速度传感器芯片制作，利用内引线技术将芯片封装在一个印刷电路板（PCB）上。在室温下，工作电压为5.0 V 时，实验结果给出压力传感器灵敏度（a=0）为1.0 mV／kPa，加速度传感器灵敏度（p =0）为0.92 mV／g ，可实现外加压力和加速度的测量，具有较好的灵敏度特性且交叉干扰较弱。
多功能传感器、压力传感器、加速度传感器、MEMS 技术、CMOS 工艺
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TN242(光电子技术、激光技术)
supported by National Natural Science Foundation of China 61471159；Heilongjiang Province Natural Science Foundation of China F201433；Special Funds for Science and Technology Innovation Talents of Harbin in China 2014RFQXJ007；Postgraduate Innovation Project of Heilongjiang University in China YJSCX2015-077HLJU
2016-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共1页
064115-1-064115-7
