响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析
利用响应面分析方法优化了用于压力传感器硅敏感芯体的刻蚀操作条件。主要考虑了温度、KOH 浓度和腐蚀时间三个操作参数,将它们的范围分别设定为40~60℃,0.4~0.48 mol/L 和5~12.5 h,并设定各向异性腐蚀速率为响应值。通过建立二次方模型,分析这些参数的单独影响以及多个操作条件之间对腐蚀速率的相互交叠作用。分析结果表明:模型可以精确预测99%的响应值,相比于腐蚀时间,溶液浓度和工作温度对刻蚀速率的影响更为明显。
KOH 各向异性、响应面分析方法、刻蚀速率、传感器
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TN31(半导体技术)
2016-05-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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