控制器组件γ瞬时辐射效应研究

摘要：

瞬时电离辐射在电子器件内部形成的光电流可引起器件输出扰动,导致电路中部分器件受电源、输入信号及自身产生光电流扰动的多重影响,而单独对器件进行试验无法反映γ瞬时辐射输出扰动在电子组件系统中的传递影响.为此对由 DC/DC、稳压器、单片机 CPU,FPGA 等组成的控制器组件在 2.8×105~1.7×107 Gy(Si)/s的范围内开展了γ瞬时辐射效应的试验研究.试验中对组件功能和器件参数的测试结果表明,在较小的瞬时剂量率下,部分器件输出受到影响,但组件功能正常;较大剂量率时,所有器件均受影响,且组件功能中断.同时观测到瞬时辐射形成的扰动信号在器件间传输现象.

关键词：电子系统、瞬时辐照效应、γ剂量率

所属期刊栏目：28

分类号：TN43;TL843(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：装备预先研究项目

在线出版日期：2016-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：51-57