超低泄漏电流二极管单粒子位移损伤电流计算
提出了一种计算超低泄漏电流硅二极管的单粒子位移损伤电流的方法。采用 SRIM 软件计算了252 Cf 源的裂变碎片入射二极管产生的初级撞出原子的分布,并采用 Shockley-Read-Hall 复合理论探讨了单粒子位移损伤电流值与缺陷参数的关系,计算了252 Cf 源辐照引起的单粒子位移损伤电流台阶值,计算结果与实验结果一致。针对耗尽区电场非均匀的特点,提出电场分层近似方法来考虑处于耗尽区中不同位置的初级撞出原子产生的缺陷对泄漏电流的影响。结果表明,PN 结附近电场增强载流子产生效应最显著,考虑电场增强效应的情况下单个 Frenkel 缺陷引起的泄漏电流比未考虑电场增强效应时高约44倍；裂变碎片80 MeV Nd入射比106 MeV Cd 入射引起的单粒子位移损伤电流大；252 Cf 源的裂变碎片在二极管中引起的单粒子位移损伤电流台阶值主要集中于1 fA 至1 pA 之间。
单粒子位移损伤、泄漏电流、初级撞出原子、缺陷、二极管
TN47;TN99(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金项目11175138;国家自然科学基金重点项目11235008;国家重点实验室项目20140134;高等学校博士学科点专项科研基金项目20130201120090
2016-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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026001-1-026006-6
