高功率盒形窗内次级电子倍增效应

摘要：

以 S 波段高功率盒型窗为对象，采用 Monte Carlo 模拟方法对盒型窗内的次级电子倍增效应进行研究，探索次级电子的倍增规律。模拟得到了盒型窗内 TE11模和 TM11模共同作用下，两种陶瓷窗片表面次级电子倍增活跃的区域随传输功率的变化特点。在低传输功率下，次级电子仅在未镀膜窗片表面被激励，并以双面倍增的方式在金属法兰与镀膜窗片相对应的区域增长；在较高的传输功率下，窗片表面的次级电子将以单面倍增的方式活跃在窗片表面与波导口相对的区域。传输功率的升高使得镀膜窗片表面的次级电子倍增活跃区域转移到矩形波导窄边对应的区域，并加剧了未镀膜窗片表面的局部倍增效应。

关键词：速调管、盒形窗、次级电子倍增效应、蒙特卡罗模拟

分类号：O462.2(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划项目2013CB328901；国家自然科学基金项目61379063；湖南省教育厅科学研究基金项目13C436

在线出版日期：2016-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：023004-1-023004-6