基于4H-SiC的高能量分辨率α粒子探测器

摘要：

为突破传统半导体核探测器耐高温与抗辐照性能不足的瓶颈,采用4H-SiC宽禁带半导体材料研制了4H-SiC探测器,并研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率和能量线性度.所研制4H-SiC探测器漏电流低,当外加反向偏压为200 V时,其漏电流仅14.92 nA/cm2.采用具有5种主要能量α粒子的226 Ra源研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率,获得4 H-SiC探测系统对4.8～7.7 MeV能量范围内α粒子的能量分辨率为0.61％～0.90％,与国际上报道的高分辨4H-SiC探测系统能量分辨率一致.同时,实验结果表明:4 H-SiC探测系统对该能量范围内α粒子的能量线性度十分优异,线性相关系数为0.999 99.

关键词：能量分辨率、半导体探测器、碳化硅

所属期刊栏目：27

分类号：TL816(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：国家自然科学基金项目11205140,11475151;中国工程物理研究院中子物理学重点实验室资助课题2013AC01,2013BC01;中国工程物理研究院核物理与化学研究所科技创新基金项目2011CX02

在线出版日期：2015-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：151-154