倾斜直流场下的介质板击穿统计分析

摘要：

传统分析介质板次级电子倍增问题的粒子追踪算法方法存在运算耗时长、运算量大等缺点,为此采用统计方法实现了倾斜强直流场下介质击穿过程中次级电子倍增效应的数值模拟,给出了击穿过程中电子数量,电子渡越时间等关键参数的时间图像,同时研究了倾斜角、介质表面光滑度和次级电子产生率对次级电子倍增效应的影响.研究结果表明:强直流场下的次级电子倍增效应存在倾斜角的区域,倾斜角太大或者太小,都可能不会发生次级电子倍增效应,如果倾斜角位于区域内,则饱和状态时电子数目随着倾斜角度的变大而变小;选取光滑系数和次级电子产生系数越小的介质材料,抑制次级电子倍增效应的效果越好.

关键词：倾斜强直流场、介质单边次级电子倍增、统计方法、易感区域

所属期刊栏目：26

分类号：TN011.2(一般性问题)

资助基金：国家高技术发展计划项目

在线出版日期：2014-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：130-135