阵列碳纳米管的石墨化程度
采用化学气相沉积法制备了阵列碳纳米管薄膜,对阵列碳纳米管的石墨化程度进行了系统研究.利用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)对样品形貌以及结构进行了表征.探讨了不同实验参数对阵列碳纳米管石墨化程度影响的机理.结果发现,在一定催化剂浓度范围内,催化剂浓度过低时,阵列碳纳米管的石墨化程度较差,而随着催化剂浓度的增加,阵列碳纳米管的石墨化程度逐渐变好;生长石墨化程度较好的阵列碳纳米管需要合适的进液速度,进液速度过低或过高都会使得碳纳米管的石墨化程度变差;此外,生长石墨化程度较好的阵列碳纳米管也需要合适的生长温度,生长温度过低或过高都会使得碳纳米管的石墨化程度变差.
阵列碳纳米管、石墨化程度、化学气相沉积
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TQ177
国家自然科学基金项目11075143/A050609;等离子体物理重点实验室基金项目9140C680502110C6807;四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地开放基金项目10zxfk34
2014-03-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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