中红外高能激光探测单元
基于光电导探测原理,分析了影响室温光导型InSb探测器在中红外激光功率参数测量中的因素,得到了材料掺杂数密度、环境温度对探测器暗电阻、光谱响应率和光谱探测率的影响规律;开展了探测器在强激光辐照下的热效应理论模拟和实验研究,模拟分析了探测器在激光辐照下的动态响应特性.结果表明:针对测量系统中所使用的探测器,在激光功率密度小于4 W/cm2时,激光热效应对测量结果的影响可忽略;研制了相应的恒流源驱动电路,实现了中红外高能激光功率参数的探测.
高能激光、P型光导、InSb探测器、暗电阻、光谱响应率、光谱探测率
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TN247(光电子技术、激光技术)
国防科技基础研究基金
2012-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1306-1310