Si基Sc膜的制备及结构分析

摘要：

采用电子束镀膜方法在Si基底上制备了Sc膜,利用XRD,SEM分析了不同镀膜工艺条件下制备的Sc膜的形貌和结构.结果表明:基底温度在350～550℃时,薄膜主要由单质Sc组成,而且随着基底温度的升高,膜的颗粒尺寸增大,膜也变得更加致密；基底温度提高至650℃时,膜全部由ScSi化合物组成,膜变成颗粒状结构.沉积速率对低温时Sc膜的形貌与结构的影响不明显,颗粒尺寸随沉积速率的增大而增大,但物相结构基本没有发生变化；而在高温650℃时,沉积速率对膜的形貌与结构产生了很大的影响,随着沉积速率的增大,膜表面出现了大量微裂纹,而且较低的沉积速率有利于获得衍射峰单一的膜,增大沉积速率将会导致衍射峰数量明显增加.

关键词：钪、电子束镀膜、基底温度、沉积速率、形貌

所属期刊栏目：24

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金项目2009A0301015

在线出版日期：2012-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1121-1125