新型半导体开关高压电磁脉冲产生技术

摘要：

基于独特结构和物理特性的两类高性能新型高压半导体开关漂移阶跃恢复二极管和快速离化开关,提出一种新型高功率高压纳秒电磁脉冲产生方法,其技术路径是通过高压漂移阶跃恢复二极管开关将高贮能电感能量向高压快速离化开关及负载转移,产生高功率、高重复频率纳秒电磁脉冲,并用实验验证该方法在高重复频率(120,200,300 kHz)下产生高功率、高重复频率纳秒脉冲的有效性,输出脉冲电压分别为1.62,1.41,1.36 kV.

关键词：半导体开关、高压脉冲、高重复频率、电磁脉冲产生

所属期刊栏目：24

分类号：TN78(基本电子电路)

资助基金：国家高技术发展计划项目

在线出版日期：2012-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：497-500