CMOS反相器的电磁干扰频率效应

摘要：

利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS反相器在1 MHz～20 GHz电磁干扰作用下的响应.仿真结果表明:低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作;高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容耦合到输出端,干扰CMOS反相器的工作状态;CMOS反相器对于电磁干扰的敏感度随着干扰频率上升而不断降低.

关键词：CMOS反相器、器件物理模拟、电磁干扰、翻转、耦合

所属期刊栏目：24

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家高技术发展计划项目

在线出版日期：2012-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：147-151