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10.3788/HPLPB20112312.3385

强辐射环境下高能脉冲裂变中子探测方法

引用
在研究通道衰减、探测方法分离和探测器中子/γ射线本征分辨的基础上,研究了测量高能脉冲裂变中子数目的探测技术.基于电流型Si-PIN探测器,设计了减本底的背靠背探测结构,给出了测量强γ射线和低能散射中子干扰信号及有效扣除强辐射本底的实现方法,最终实现了高n/n’和n/γ分辨测量和强裂变中子、γ射线混合场中的高能脉冲裂变中子数目探测,探测系统的信号/辐射本底比可达到10倍以上.

强辐射、PIN探测器、脉冲中子、中子探测、混合辐射场

23

TL81(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

2012-05-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

3385-3390

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23

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