中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析

摘要：

研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应.实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象；电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象.对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因；中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象；电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大.

关键词：NPN晶体管、负电容、中子辐照、电子辐照、扩散电容、势垒电容

所属期刊栏目：23

分类号：TN325;O571(半导体技术)

在线出版日期：2012-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2763-2766