4H-SiC NMOS电子、质子辐照数值模拟

摘要：

分析了高能电子、质子对 4H-SiC 的损伤机理,建立了 4H-SiC NMOS 器件物理模型.电子、质子辐照效应模型.应用ISE-TCAD软件进行数值模拟计算,得出在能量为2.5 MeV、注量为5×1013cm-2的电子辐照及能量为6.5 MeV、注量为2×1014cm-2的质子辐照下,4H-SiC NMOS转移特性曲线和亚阈值漏电流曲线变化的初步规律.数值模拟结果与相同条件下Si NMOS实验结果吻合较好.

关键词：4H-SiC、电子辐照、质子辐照、数值模拟

所属期刊栏目：23

分类号：TN364.1(半导体技术)

资助基金：教育部博士点基金项目20100201110018

在线出版日期：2011-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1387-1390