高功率半导体激光对光学元件损伤特性

摘要：

为研究880 nm 高功率半导体连续激光器对光学元件的损伤特性,选择了K9玻璃、ZnSe晶体和无氧铜进行镀膜加工,形成高反射率和高透过率的光学元件.通过调节到达光学元件表面的平均功率和改变光斑大小来改变光学元件表面的功率密度,并连续照射30 s,最终通过显微镜来观察元件的激光损伤形貌.研究结果表明:镀高反膜的K9玻璃在功率密度达到600 W/cm2时,膜系表面出现烧熔现象,当达到1 000 W/cm2 时出现炸裂现象,而无氧铜基底镀金反射镜在上述功率密度下未发现损伤;而镀增透膜的ZnSe晶体在激光功率密度高达1 000 W/cm2 时,通过显微镜观察没有发现明显的损伤,热像仪显示基底温升为5℃.

关键词：半导体激光器、高功率、激光损伤、功率密度

所属期刊栏目：23

分类号：TN241;O484.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院知识创新工程项目;吉林省自然科学基金项目201115123

在线出版日期：2011-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1177-1181