脉冲激光作用单晶硅的等离子体光谱分析

摘要：

从激光与物质相互作用理论出发,对脉冲激光作用单晶硅的热特性进行分析.建立一套实验装置,所用激光光源的波长为1 064 nm,脉宽为10 ns,重复频率为1 Hz.得到单晶硅的等离子体谱及热辐射谱,在单晶硅的光电性质基础上对其热表面损伤进行理论分析.提取380～460 nm波段的单晶硅等离子体光谱,分析了谱图中SiⅠ390.52 nm, SiⅡ385.51 nm,SiⅡ413.12 nm三条谱线的相对强度与激光输出功率密度的对应关系.

关键词：激光与物质相互作用、等离子体、激光发射光谱、光谱分析

所属期刊栏目：22

分类号：O53(等离子体物理学)

资助基金：长春市科技计划项目09YJ02

在线出版日期：2010-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1815-1818