电子束蒸发沉积六硼化镧薄膜的逸出功

摘要：

六硼化镧(LaB_6)具有电子逸出功低、高熔点和高化学稳定性等优点,是制作热阴极和场发射阴极的理想发射体材料.而且在常规场发射尖锥表面涂敷一层LaB_6薄膜能够大幅度提高场发射尖锥的发射能力.为了测量LaB_6 薄膜的逸出功,采用电子束蒸发技术沉积LaB_6薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射分析和X射线光电谱分析.通过测量薄膜的热电子发射特性和敷LaB_6薄膜的硅尖锥阵列的场致电子发射特性确定了LaB_6薄膜的逸出功,与块状LaB_6多晶材料的逸出功大体相同,说明电子束蒸发沉积技术适合于制备高纯度、低逸出功的LaB_6薄膜.

关键词：六硼化镧、逸出功、电子束蒸发、热发射、场发射

所属期刊栏目：22

分类号：O462(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2010-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：181-184