双边二次电子倍增效应分析

摘要：

根据高功率微波源相互作用腔结构.建立了一种双边二次电子倍增效应模型.采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法,计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律.分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响.结果表明:高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应;二次电子倍增效应的时间演化与射频场的大小和腔结构呈非单调关系,且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多,这与理论分析的结果一致.

关键词：双边二次电子倍增效应、敏感曲线、二次电子、共振区域

所属期刊栏目：21

分类号：O462.2(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家高技术发展计划强辐射重点实验室基金

在线出版日期：2009-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：906-910