50 kV半绝缘GaAs光导开关

摘要：

设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关,开关由600 μm厚的半绝缘GaAs晶片制成,电极间隙为20 mm.在不同的直流偏置电压下,使用波长为1 064 nm、能量为9.9 mJ的激光脉冲触发使开关导通,开关置于0.2 MPa的SF6气体环境中.在施加直流50 kV电压的情况下,使用Rogowski线圈测得开关的最大导通电流为1.1 kA.对实验结果进行分析表明:随着初始偏置电压的升高,回路流过的电荷与电容初始储存的电荷的比值不断提高,但都没有达到100%,即非线性模式下光导开关的关断原因并不是由于外电路的能量已经耗尽.对非本征光电导的情况,计算出开关的通态电阻为2.71 Ω.

关键词：砷化镓、光导开关、大功率、非线性模式

所属期刊栏目：21

分类号：TM836(高电压技术)

资助基金：国家自然科学基金项目50837004;中国工程物理研究院科学技术发展基金项目2008B0402037

在线出版日期：2009-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：783-786