CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究

摘要：

在"强光一号"加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异.实验结果表明:CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20 ns的脉冲宽度辐照下,CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照下的2倍,CMOS存储器6264的翻转阈值在20 ns脉冲宽度辐照下为150 ns脉冲宽度辐照下的3倍.

关键词：CMOS电路、辐照效应、闩锁阈值、翻转阈值、脉冲宽度、剂量率

所属期刊栏目：21

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国防科技基础研究基金

在线出版日期：2009-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：742-744