750 keV射频四极注入器射频结构的优化
设计了750 keV,201.25 MHz的RFQ注入器的射频结构,对四杆型RFQ结构进行了简要的理论分析,在束流动力学设计的基础上,对射频结构进行了优化.研究了四杆型RFQ结构中支撑板高度、宽度、厚度、问距、形状、外腔体半径等因素对射频特性的影响.进行了优化设计并给出了主要的结构参数及射频特性的设计结果.优化设计得到的四杆型RFQ腔体长度126 cm.在极问电压80 kV时,峰值功率损耗为115.95kW,二极场因子为1.004,电场沿轴向分布比较均匀,偏差小于3.5%,满足了物理需求.
射频四极子、加速器、射频结构、注入器
20
T1501.5
2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1349-1352