中红外激光功率密度探测单元的研制
采用室温光导型HgCdTe探测器.研制了可用于中红外激光功率密度测量的探测单元,主要包括衰减片、探测器、放大电路、数据采集和信号处理5个部分.分析了室温中红外HgCdTe光电探测器的温度特性,并提出了探测器响应率温度自适应校正模型.该探测单元工作温度为-40~30℃.功率密度测量不确定度小于20%.
HgCdTe探测器、中红外激光、温度、自适应校正
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TN216(光电子技术、激光技术)
国防科技基础研究基金项目10035029
2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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